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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay IRF710 1 N-Kanal 36 W TO-220AB

Vishay
Bestell-Nr.: 162429 - 62
Teile-Nr.: IRF710PBF |  EAN: 2050000041204
Abbildung ähnlich
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MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF710
Gehäuse
TO‑220AB
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
2 A
U
400 V
Ptot
36 W
R(DS)(on)
3.6 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom
1.2 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
17 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
170 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
400 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

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