JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay IRF840PBF 1 N-Kanal 125 W TO-220

Vishay
Bestell-Nr.: 162526 - 62
Teile-Nr.: IRF840PBF |  EAN: 2050000041884
Abbildung ähnlich
0,96 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET (HEXFET)

Technische Daten

Typ
IRF840PBF
Gehäuse
TO‑220
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
8 A
U
500 V
Ptot
125 W
R(DS)(on)
850 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
4.8 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
63 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
1300 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
500 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, Vishay, anreicherungstyp, IRF840PBF, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, Junction fet, source, selbstleitend, IRF840IR-ND, transistor à effet de champ, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet