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MOSFET Vishay IRFBG30PBF 1 N-Kanal 125 W TO-220

Vishay
MOSFET Vishay IRFBG30PBF 1 N-Kanal 125 W TO-220 is rated 5.0 out of 5 by 1.
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Bestell-Nr.: 162578 - 62
Teile-Nr.: IRFBG30PBF |  EAN: 2050000042362
Abbildung ähnlich
1,06 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
IRFBG30PBF
Gehäuse
TO‑220
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
3.1 A
U
1000 V
Ptot
125 W
R(DS)(on)
5 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom
1.9 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
80 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
980 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
1000 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, verarmungstyp, metal oxide semiconductor, transistor à effet de champ, unipolar transistor, selbstleitend, Junction fet, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, source, IRFBG30PBF, IRFBG30PBF-ND, drain, anreicherungstyp, FET, Feldeffekt-transistor, field-effect transistor, gate, selbstsperrend, unipolartransistor, Vishay
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Date published: 2012-04-06
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