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MOSFET Vishay IRFBG30PBF 1 N-Kanal 125 W TO-220

Vishay
Rated 5 out of 5 by 1 reviewer.
  • 2016-12-09 T06:43:32.437-06:00
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  • loc_en_US, sid_162578, prod, sort_default
Bestell-Nr.: 162578 - 62
Teile-Nr.: IRFBG30PBF |  EAN: 2050000042362
Abbildung ähnlich
1,06 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
IRFBG30PBF
Gehäuse
TO‑220
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
3.1 A
U
1000 V
Ptot
125 W
R(DS)(on)
5 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom
1.9 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
80 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
980 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
1000 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, Vishay, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, IRFBG30PBF, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, IRFBG30PBF-ND, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
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