JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay IRFPC50 1 N-Kanal 180 W TO-247

Vishay
Rated 5 out of 5��by 1 reviewer.
Bestell-Nr.: 162665 - 62
Teile-Nr.: IRFPC50 |  EAN: 2050000043116
Abbildung ähnlich
4,60 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand
Auf Lager Lieferung: 28.09 bis 29.09.2016 oder garantiert am nächsten Werktag bei Auswahl der 24h-Express-Lieferung (zzgl. 8,95 Euro) innerhalb 4 Stunden 11 Minuten

MOSFET (HEXFET)

Technische Daten

Typ
IRFPC50
Gehäuse
TO‑247
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
11 A
U
600 V
Ptot
180 W
R(DS)(on)
600 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
6 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
140 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
2700 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
600 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, Vishay, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, IRFPC50-ND, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, Junction fet, source, selbstleitend, IRFPC50, transistor à effet de champ, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Ähnliche Produkte
{{#if user.profile.0.profileInfo.b2B}} *zzgl. gesetzl. MwSt, zzgl. Versand {{else}} *inkl. MwSt, zzgl. Versand {{/if}}
Rated 5 out of 5��by Hexfet Erf��llt die Erwartungen. Einzieg die Pin's passen nicht exakt ins DIN Raster 21. Januar 2013
1-1 von 1