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MOSFET Vishay SI2308BDS-T1-GE3 1 N-Kanal 1.66 W SOT-23-3

Vishay
Bestell-Nr.: 597300 - 62
Teile-Nr.: SI2308BDS-T1-GE3 |  EAN: 2050003223669
Abbildung ähnlich
MOSFET Vishay SI2308BDS-T1-GE3 1 N-Kanal 1.66 W SOT-23-3
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MOSFET

Technische Daten

Typ
SI2308BDS-T1-GE3
Gehäuse
SOT-23-3
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N-Kanal
I(d)
2.3 A
U
60 V
Ptot
1.66 W
R(DS)(on)
156 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
1.9 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
6.8 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
190 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
30 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
TrenchFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
60 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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