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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI2312BDS-T1-GE3 1 N-Kanal 750 mW SOT-23-3

Vishay
Bestell-Nr.: 597303 - 62
Teile-Nr.: SI2312BDS-T1-GE3 |  EAN: 2050003223683
Abbildung ähnlich
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MOSFET

Technische Daten

Typ
SI2312BDS‑T1‑GE3
Gehäuse
SOT‑23‑3
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
3.9 A
U
20 V
Ptot
750 mW
R(DS)(on)
31 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
5 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
U(GS)(th) max.
0.85 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
12 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
TrenchFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
20 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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Technische Daten

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