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MOSFET Vishay SI2319DS-T1-E3 1 P-Kanal 750 mW SOT-23-3

Vishay
Bestell-Nr.: 597305 - 62
Teile-Nr.: SI2319DS-T1-E3 |  EAN: 2050003223706
Abbildung ähnlich
0,95 €
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MOSFET

Technische Daten

Typ
SI2319DS‑T1‑E3
Gehäuse
SOT‑23‑3
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
P‑Kanal
I(d)
2.3 A
U
40 V
Ptot
750 mW
R(DS)(on)
82 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
3 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
17 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
470 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
20 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
TrenchFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
40 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
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