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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI2325DS-T1-E3 1 P-Kanal 750 mW SOT-23-3

Vishay
Bestell-Nr.: 597308 - 62
Teile-Nr.: SI2325DS-T1-E3 |  EAN: 2050003223720
Abbildung ähnlich
1,46 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
SI2325DS‑T1‑E3
Gehäuse
SOT‑23‑3
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
P‑Kanal
I(d)
530 mA
U
150 V
Ptot
750 mW
R(DS)(on)
1.2 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom
500 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
12 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
510 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
TrenchFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
150 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
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