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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI2333CDS-T1-GE3 1 P-Kanal 2.5 W SOT-23

Vishay
Bestell-Nr.: 597310 - 62
Teile-Nr.: SI2333CDS-T1-GE3 |  EAN: 2050003223744
Abbildung ähnlich
0,77 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
SI2333CDS‑T1‑GE3
Gehäuse
SOT‑23
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
P‑Kanal
I(d)
7.1 A
U
12 V
Ptot
2.5 W
R(DS)(on)
35 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
5.1 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
25 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
1225 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
6 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
TrenchFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
12 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
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