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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI3442BDV-T1-E3 1 N-Kanal 860 mW TSOP-6

Vishay
Bestell-Nr.: 597316 - 62
Teile-Nr.: SI3442BDV-T1-E3 |  EAN: 2050003223799
Abbildung ähnlich
0,81 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
SI3442BDV‑T1‑E3
Gehäuse
TSOP‑6
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
3 A
U
20 V
Ptot
860 mW
R(DS)(on)
57 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
4 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
U(GS)(th) max.
1.8 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
5 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
295 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
10 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
TrenchFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
20 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
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{{#if user.profile.0.profileInfo.b2B}} *zzgl. gesetzl. MwSt, zzgl. Versand {{else}} *inkl. MwSt, zzgl. Versand {{/if}}
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