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MOSFET Vishay SI4102DY-T1-GE3 1 N-Kanal 4.8 W SOIC-8

Vishay
Bestell-Nr.: 597321 - 62
Teile-Nr.: SI4102DY-T1-GE3 |  EAN: 2050003223836
Abbildung ähnlich
1,49 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
SI4102DY‑T1‑GE3
Gehäuse
SOIC‑8
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
3.8 A
U
100 V
Ptot
4.8 W
R(DS)(on)
158 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
2.7 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
11 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
370 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
50 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
TrenchFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
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