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MOSFET Vishay SI4214DDY-T1-GE3 2 N-Kanal 3.1 W SOIC-8

Vishay
Bestell-Nr.: 597326 - 62
Teile-Nr.: SI4214DDY-T1-GE3 |  EAN: 2050003223881
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MOSFET

Technische Daten

Typ
SI4214DDY-T1-GE3
Gehäuse
SOIC-8
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N-Kanal
I(d)
8.5 A
U
30 V
Ptot
3.1 W
R(DS)(on)
19.5 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
8 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
22 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
660 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
15 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
TrenchFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
2

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