JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI4214DDY-T1-GE3 2 N-Kanal 3.1 W SOIC-8

Vishay
Bestell-Nr.: 597326 - 62
Teile-Nr.: SI4214DDY-T1-GE3 |  EAN: 2050003223881
Abbildung ähnlich
0,95 €
Sie sparen 0,05 €
0,90 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
SI4214DDY‑T1‑GE3
Gehäuse
SOIC‑8
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
8.5 A
U
30 V
Ptot
3.1 W
R(DS)(on)
19.5 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
8 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
22 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
660 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
15 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
TrenchFET®
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
2

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, verarmungstyp, metal oxide semiconductor, transistor à effet de champ, unipolar transistor, selbstleitend, Junction fet, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, source, drain, anreicherungstyp, FET, SI4214DDY-T1-GE3, SI4214DDY-T1-GE3CT-ND, Feldeffekt-transistor, field-effect transistor, gate, selbstsperrend, unipolartransistor, Vishay
Ähnliche Produkte
Zubehör gleich mitbestellen