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MOSFET Vishay SI4435DDY-T1-GE3 1 P-Kanal 5 W SOIC-8

Vishay
Bestell-Nr.: 597332 - 62
Teile-Nr.: SI4435DDY-T1-GE3 |  EAN: 2050003223942
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MOSFET

Technische Daten

Typ
SI4435DDY-T1-GE3
Gehäuse
SOIC-8
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
P-Kanal
I(d)
11.4 A
U
30 V
Ptot
5 W
R(DS)(on)
24 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
9.1 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
50 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
1350 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
15 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
TrenchFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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