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MOSFET Vishay SI4800BDY-T1-E3 1 N-Kanal 1.3 W SOIC-8

Vishay
Bestell-Nr.: 597336 - 62
Teile-Nr.: SI4800BDY-T1-E3 |  EAN: 2050003223980
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MOSFET Vishay SI4800BDY-T1-E3 1 N-Kanal 1.3 W SOIC-8
1,05 €
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Online verfügbar Lieferung: 29.04 bis 02.05.2017

MOSFET

Technische Daten

Typ
SI4800BDY-T1-E3
Gehäuse
SOIC-8
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N-Kanal
I(d)
6.5 A
U
30 V
Ptot
1.3 W
R(DS)(on)
18.5 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
9 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
1.8 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
13 nC
Q(G) Referenz-Spannung
5 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
TrenchFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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