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MOSFET Vishay SI4900DY-T1-E3 2 N-Kanal 3.1 W SOIC-8

Vishay
Bestell-Nr.: 597342 - 62
Teile-Nr.: SI4900DY-T1-E3 |  EAN: 2050003224048
Abbildung ähnlich
1,63 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
SI4900DY‑T1‑E3
Gehäuse
SOIC‑8
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
5.3 A
U
60 V
Ptot
3.1 W
R(DS)(on)
58 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
4.3 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
20 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
665 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
15 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
TrenchFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
60 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
2

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
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