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MOSFET Vishay SI4925BDY-T1-E3 2 P-Kanal 1.1 W SOIC-8

Vishay
Bestell-Nr.: 597343 - 62
Teile-Nr.: SI4925BDY-T1-E3 |  EAN: 2050003224055
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  • Typ: SI4925BDY-T1-E3
  • Gehäuse: SOIC-8
  • Hersteller: Vishay
  • Herst.-Abk.: VIS
  • Ausführung: P-Kanal

MOSFET

Technische Daten

Typ
SI4925BDY-T1-E3
Gehäuse
SOIC-8
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
P-Kanal
I(d)
5.3 A
U
30 V
Ptot
1.1 W
R(DS)(on)
25 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
7.1 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
50 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
TrenchFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
2

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