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MOSFET Vishay SI5935CDC-T1-GE3 2 P-Kanal 3.1 W SMD-8

Vishay
Bestell-Nr.: 597352 - 62
Teile-Nr.: SI5935CDC-T1-GE3 |  EAN: 2050003224147
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Online verfügbar Lieferung: 28.04 bis 29.04.2017

MOSFET

Technische Daten

Typ
SI5935CDC-T1-GE3
Gehäuse
SMD-8
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
P-Kanal
I(d)
4 A
U
20 V
Ptot
3.1 W
R(DS)(on)
100 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
3.1 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
11 nC
Q(G) Referenz-Spannung
5 V
C(ISS)
455 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
10 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
TrenchFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
20 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
2

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