JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI7309DN-T1-E3 1 P-Kanal 19.8 W PowerPAK-1212-8

Vishay
Bestell-Nr.: 597357 - 62
Teile-Nr.: SI7309DN-T1-E3 |  EAN: 2050003224192
Abbildung ähnlich
1,53 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
SI7309DN‑T1‑E3
Gehäuse
PowerPAK‑1212‑8
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
P‑Kanal
I(d)
8 A
U
60 V
Ptot
19.8 W
R(DS)(on)
115 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
3.9 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
22 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
600 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
30 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
TrenchFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
60 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, Vishay, anreicherungstyp, SI7309DN-T1-E3, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, SI7309DN-T1-E3CT-ND, Feldeffekt-transistor, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Ähnliche Produkte
Zubehör gleich mitbestellen