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MOSFET Vishay SI7619DN-T1-GE3 1 P-Kanal 27.8 W PowerPAK-1212-8

Vishay
Bestell-Nr.: 597363 - 62
Teile-Nr.: SI7619DN-T1-GE3 |  EAN: 2050003224246
Abbildung ähnlich
1,22 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
SI7619DN‑T1‑GE3
Gehäuse
PowerPAK‑1212‑8
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
P‑Kanal
I(d)
24 A
U
30 V
Ptot
27.8 W
R(DS)(on)
21 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
10.5 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
50 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
1350 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
15 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
TrenchFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

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