JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI7900AEDN-T1-GE3 2 N-Kanal 1.5 W PowerPAK-1212-8

Vishay
Bestell-Nr.: 597426 - 62
Teile-Nr.: SI7900AEDN-T1-GE3 |  EAN: 2050003224284
  • Abbildung ähnlich
  • MOSFET Vishay SI7900AEDN-T1-GE3 2 N-Kanal 1.5 W PowerPAK-1212-8
1,73 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand
  • Typ: SI7900AEDN-T1-GE3
  • Gehäuse: PowerPAK-1212-8
  • Hersteller: Vishay
  • Herst.-Abk.: VIS
  • Ausführung: N-Kanal

MOSFET

Technische Daten

Typ
SI7900AEDN-T1-GE3
Gehäuse
PowerPAK-1212-8
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N-Kanal
I(d)
6 A
U
20 V
Ptot
1.5 W
R(DS)(on)
26 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
8.5 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
U(GS)(th) max.
0.9 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
16 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
TrenchFET®
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
20 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
2

Dokumente & Downloads

Ähnliche Produkte
Nach oben