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MOSFET Vishay SI9933CDY-T1-GE3 2 P-Kanal 3.1 W SOIC-8

Vishay
Bestell-Nr.: 598152 - 62
Teile-Nr.: SI9933CDY-T1-GE3 |  EAN: 2050003224369
Abbildung ähnlich
0,81 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
SI9933CDY‑T1‑GE3
Gehäuse
SOIC‑8
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
P‑Kanal
I(d)
4 A
U
20 V
Ptot
3.1 W
R(DS)(on)
58 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
4.8 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
U(GS)(th) max.
1.4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
26 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
665 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
10 V
Betriebstemperatur (min.)
‑50 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
TrenchFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
20 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
2

Dokumente & Downloads

Technische Daten

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