JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SIA416DJ-T1-GE3 1 N-Kanal 19 W SC-70-6

Vishay
Bestell-Nr.: 598153 - 62
Teile-Nr.: SIA416DJ-T1-GE3 |  EAN: 2050003224376
Abbildung ähnlich
1,05 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
SIA416DJ‑T1‑GE3
Gehäuse
SC‑70‑6
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
11.3 A
U
100 V
Ptot
19 W
R(DS)(on)
83 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
3.2 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
10 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
295 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
50 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
TrenchFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, Vishay, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, SIA416DJ-T1-GE3CT-ND, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, SIA416DJ-T1-GE3, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Ähnliche Produkte
{{#if user.profile.0.profileInfo.b2B}} *zzgl. gesetzl. MwSt, zzgl. Versand {{else}} *inkl. MwSt, zzgl. Versand {{/if}}
Zubehör gleich mitbestellen