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MOSFET Vishay SIA429DJT-T1-GE3 1 P-Kanal 19 W SC-70-6

Vishay
Bestell-Nr.: 598156 - 62
Teile-Nr.: SIA429DJT-T1-GE3 |  EAN: 2050003224383
Abbildung ähnlich
0,92 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
SIA429DJT‑T1‑GE3
Gehäuse
SC‑70‑6
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
P‑Kanal
I(d)
12 A
U
20 V
Ptot
19 W
R(DS)(on)
20.5 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
6 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
62 nC
Q(G) Referenz-Spannung
8 V
C(ISS)
1750 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
10 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
TrenchFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
20 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
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