JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SIA429DJT-T1-GE3 1 P-Kanal 19 W SC-70-6

Vishay
Bestell-Nr.: 598156 - 62
Teile-Nr.: SIA429DJT-T1-GE3 |  EAN: 2050003224383
  • Abbildung ähnlich
  • MOSFET Vishay SIA429DJT-T1-GE3 1 P-Kanal 19 W SC-70-6
0,92 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand
Menge in Stück Preis Ersparnis
Gesamt in €
1 0,92 € --
10 0,87 € 5% = 0,50 €
Lieferung in 2 Wochen
  • Typ: SIA429DJT-T1-GE3
  • Gehäuse: SC-70-6
  • Hersteller: Vishay
  • Herst.-Abk.: VIS
  • Ausführung: P-Kanal

MOSFET

Technische Daten

Typ
SIA429DJT-T1-GE3
Gehäuse
SC-70-6
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
P-Kanal
I(d)
12 A
U
20 V
Ptot
19 W
R(DS)(on)
20.5 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
6 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
62 nC
Q(G) Referenz-Spannung
8 V
C(ISS)
1750 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
10 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
TrenchFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
20 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Ähnliche Produkte
Zubehör gleich mitbestellen