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MOSFET Vishay SIHB12N60E-GE3 1 N-Kanal 147 W TO-263-3

Vishay
Bestell-Nr.: 598159 - 62
Teile-Nr.: SIHB12N60E-GE3 |  EAN: 2050003224390
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MOSFET

Technische Daten

Typ
SIHB12N60E‑GE3
Gehäuse
TO‑263‑3
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
12 A
U
600 V
Ptot
147 W
R(DS)(on)
380 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
6 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
58 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
937 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
100 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
600 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

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