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MOSFET Vishay SIHB30N60E-GE3 1 N-Kanal 250 W TO-263-3

Vishay
Bestell-Nr.: 598179 - 62
Teile-Nr.: SIHB30N60E-GE3 |  EAN: 2050003224420
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  • Typ: SIHB30N60E-GE3
  • Gehäuse: TO-263-3
  • Hersteller: Vishay
  • Herst.-Abk.: VIS
  • Ausführung: N-Kanal

MOSFET

Technische Daten

Typ
SIHB30N60E-GE3
Gehäuse
TO-263-3
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N-Kanal
I(d)
29 A
U
600 V
Ptot
250 W
R(DS)(on)
125 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
15 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
130 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
2600 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
100 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
600 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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