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MOSFET Vishay SIHD3N50D-GE3 1 N-Kanal 69 W TO-252-3

Vishay
Bestell-Nr.: 598181 - 62
Teile-Nr.: SIHD3N50D-GE3 |  EAN: 2050003224437
Abbildung ähnlich

MOSFET

Technische Daten

Typ
SIHD3N50D‑GE3
Gehäuse
TO‑252‑3
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
3 A
U
500 V
Ptot
69 W
R(DS)(on)
3.2 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom
2.5 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
12 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
175 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
100 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
500 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
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