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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SIHF10N40D-E3 1 N-Kanal 33 W TO-220

Vishay
Bestell-Nr.: 598227 - 62
Teile-Nr.: SIHF10N40D-E3 |  EAN: 2050003224451
Abbildung ähnlich
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MOSFET

Technische Daten

Typ
SIHF10N40D‑E3
Gehäuse
TO‑220
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
10 A
U
400 V
Ptot
33 W
R(DS)(on)
600 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
5 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
30 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
526 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
100 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
400 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
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{{#if user.profile.0.profileInfo.b2B}} *zzgl. gesetzl. MwSt, zzgl. Versand {{else}} *inkl. MwSt, zzgl. Versand {{/if}}
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