JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SIHG73N60E-GE3 1 N-Kanal 520 W TO-247AC

Vishay
Bestell-Nr.: 598440 - 62
Teile-Nr.: SIHG73N60E-GE3 |  EAN: 2050003224550
Abbildung ähnlich
18,00 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
SIHG73N60E‑GE3
Gehäuse
TO‑247AC
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
73 A
U
600 V
Ptot
520 W
R(DS)(on)
39 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
36 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
362 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
7700 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
100 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
600 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, Vishay, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, Junction fet, source, selbstleitend, SIHG73N60E-GE3, transistor à effet de champ, verarmungstyp, SIHG73N60E-GE3-ND, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Ähnliche Produkte
Zubehör gleich mitbestellen