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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SIHP8N50D-GE3 1 N-Kanal 156 W TO-220AB

Vishay
Bestell-Nr.: 598510 - 62
Teile-Nr.: SIHP8N50D-GE3 |  EAN: 2050003224604
Abbildung ähnlich
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MOSFET

Technische Daten

Typ
SIHP8N50D‑GE3
Gehäuse
TO‑220AB
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
8.7 A
U
500 V
Ptot
156 W
R(DS)(on)
850 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
4 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
30 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
527 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
100 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
500 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
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{{#if user.profile.0.profileInfo.b2B}} *zzgl. gesetzl. MwSt, zzgl. Versand {{else}} *inkl. MwSt, zzgl. Versand {{/if}}
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