JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}
{{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Checkout' " }} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Cart' " }} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Direct Order' " }}
Direktbestellung

:

>

Es konnte kein Artikel gefunden werden.
Der gewünschte Artikel ist leider nicht verfügbar.
Direktbestellung / Artikelliste (BOM) hochladen
Geben Sie einfach die Bestellnummer in das obige Feld ein und die Artikel werden direkt in Ihren Einkaufswagen gelegt.

Sie möchten mehrere Artikel bestellen?
Mit unserem Artikellisten-Upload können Sie einfach Ihre eigene Artikelliste hochladen und Ihre Artikel gesammelt in den Einkaufswagen legen.
{{/xif}} {{/xif}} {{/xif}}

ON Semiconductor FDA59N30 MOSFET 1 N-Kanal 500 W TO-3P-3

ON Semiconductor
Bestell-Nr.: 1263280 - 62
Hst.-Teile-Nr.: FDA59N30 |  EAN: 2050002639744
  • Abbildung ähnlich
  • ON Semiconductor FDA59N30 MOSFET 1 N-Kanal 500 W TO-3P-3

RoHS konform

Dieses Produkt ist RoHS konform.

Mehr erfahren
5,61 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand
Verkauf und Versand durch: Conrad Electronic
Menge in Stück Preis Ersparnis
Gesamt in €
1 5,61 € --
10 5,33 € 5% = 2,80 €
Online verfügbar (12) Lieferung: 22.01 bis 24.01.2019

  • Typ: FDA59N30
  • Gehäuse: TO-3P-3
  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Herst.-Abk.: OnS
  • Ausführung: N-Kanal
Teilen
  • Google+
  • Pinterest

MOSFET

Technische Daten

Typ
FDA59N30
Gehäuse
TO-3P-3
Hersteller
ON Semiconductor
Herst.-Abk.
OnS
Ausführung
N-Kanal
I(d)
59 A
U
300 V
Ptot
500 W
RDS(on)
56 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
29.5 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
100 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
4670 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
UniFET™
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
300 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
RoHS-konform
Ja

Dokumente & Downloads

Welche Art von MOSFETS suchen Sie?
Ähnliche Produkte
Nach oben