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ON Semiconductor FDC5614P MOSFET 1 P-Kanal 800 mW SOT-23-6

ON Semiconductor
Bestell-Nr.: 1263340 - 62
Hst.-Teile-Nr.: FDC5614P |  EAN: 2050002640344
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  • Typ: FDC5614P
  • Gehäuse: SOT-23-6
  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Herst.-Abk.: OnS
  • Ausführung: P-Kanal
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MOSFET

Technische Daten

Typ
FDC5614P
Gehäuse
SOT-23-6
Hersteller
ON Semiconductor
Herst.-Abk.
OnS
Ausführung
P-Kanal
I(d)
3 A
U
60 V
Ptot
800 mW
RDS(on)
105 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
3 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
24 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
759 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
30 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
PowerTrench®
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
60 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
RoHS-konform
Ja

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