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ON Semiconductor FDG6306P MOSFET 2 P-Kanal 300 mW SC-70-6

ON Semiconductor
Bestell-Nr.: 1263498 - 62
Hst.-Teile-Nr.: FDG6306P |  EAN: 2050002641921
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  • Typ: FDG6306P
  • Gehäuse: SC-70-6
  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Herst.-Abk.: OnS
  • Ausführung: P-Kanal
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MOSFET

Technische Daten

Typ
FDG6306P
Gehäuse
SC-70-6
Hersteller
ON Semiconductor
Herst.-Abk.
OnS
Ausführung
P-Kanal
I(d)
600 mA
U
20 V
Ptot
300 mW
RDS(on)
420 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
600 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
U(GS)(th) max.
1.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
2 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
114 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
10 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
PowerTrench®
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
20 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
2
RoHS-konform
Ja

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