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ON Semiconductor FDG6332C_F085 MOSFET 1 N-Kanal, P-Kanal 300 mW SC-70-6

ON Semiconductor
Bestell-Nr.: 1263507 - 62
Hst.-Teile-Nr.: FDG6332C_F085 |  EAN: 2050002642010
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  • Typ: FDG6332C_F085
  • Gehäuse: SC-70-6
  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Herst.-Abk.: OnS
  • Ausführung: N-Kanal , P-Kanal
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MOSFET

Technische Daten

Typ
FDG6332C_F085
Gehäuse
SC-70-6
Hersteller
ON Semiconductor
Herst.-Abk.
OnS
Ausführung
N-Kanal
P-Kanal
I(d)
700 mA
600 mA
U
20 V
Ptot
300 mW
RDS(on)
300 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
700 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
U(GS)(th) max.
1.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
1.5 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
113 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
10 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
Automotive
AEC-Q101
PowerTrench®
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
20 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
RoHS-konform
Ja

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