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ON Semiconductor FDN86246 MOSFET 1 N-Kanal 600 mW TO-236-3

ON Semiconductor
Bestell-Nr.: 1263772 - 62
Hst.-Teile-Nr.: FDN86246 |  EAN: 2050002644663
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Ausverkauft
  • Typ: FDN86246
  • Gehäuse: TO-236-3
  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Herst.-Abk.: OnS
  • Ausführung: N-Kanal
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MOSFET

Technische Daten

Typ
FDN86246
Gehäuse
TO-236-3
Hersteller
ON Semiconductor
Herst.-Abk.
OnS
Ausführung
N-Kanal
I(d)
1.6 A
U
150 V
Ptot
600 mW
RDS(on)
261 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
1.6 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
5 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
225 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
75 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
PowerTrench®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
150 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
RoHS-konform
Ja

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