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ON Semiconductor FDV303N MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3

ON Semiconductor
Bestell-Nr.: 1264015 - 62
Hst.-Teile-Nr.: FDV303N |  EAN: 2050002647091
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  • Typ: FDV303N
  • Gehäuse: SOT-23-3
  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Herst.-Abk.: OnS
  • Ausführung: N-Kanal
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MOSFET

Technische Daten

Typ
FDV303N
Gehäuse
SOT-23-3
Hersteller
ON Semiconductor
Herst.-Abk.
OnS
Ausführung
N-Kanal
I(d)
680 mA
U
25 V
Ptot
350 mW
RDS(on)
450 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
500 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
U(GS)(th) max.
1.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
2.3 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
50 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
10 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
25 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
RoHS-konform
Ja

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