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ON Semiconductor Optokoppler Phototransistor H11G1M DIP-6 Darlington mit Basis DC

ON Semiconductor
Bestell-Nr.: 1265803 - 62
Hst.-Teile-Nr.: H11G1M |  EAN: 2050002664975
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  • ON Semiconductor Optokoppler Phototransistor H11G1M DIP-6 Darlington mit Basis DC

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Ausverkauft
  • Typ: H11G1M
  • Gehäuse: DIP-6
  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Herst.-Abk.: OnS
  • U typ.: 1.3 V
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Optokoppler/-Isolator

Technische Daten

Typ
H11G1M
Gehäuse
DIP-6
Hersteller
ON Semiconductor
Herst.-Abk.
OnS
U typ.
1.3 V
IF
60 mA
Sperrspannung U(R)
6 V
Kanäle
1
Eingangstyp
DC
Ausgabetyp
Darlington mit Basis
Isolationsspannung
4170 V RMS
Betriebstemperatur (min.)
+100 °C
Betriebstemperatur (max.)
-40 °C
Montageart
Durchführungsloch
Durchlassspannung U(F) max.
1.5 V
Kategorie
Optokoppler Phototransistor
Kriechstrecke
7 mm
Spannungs-Ausgabe (max)
100 V
Strom-Übertragungsrate (min.)
1000 %
Strom-Übertragungsrate (min.) - Stromreferenz
10 mA
VCE Sättigung (max.)
1 V
RoHS-konform
Ja

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