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ROHM Semiconductor Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung UMB11NTN UMT6 2 PNP - vorgespannt

ROHM Semiconductor
Bestell-Nr.: 140587 - 62
Teile-Nr.: UMB11NTN |  EAN: 2050001282361
  • ROHM Semiconductor Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung UMB11NTN UMT6 2 PNP - vorgespannt
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  • Typ: UMB11NTN
  • Gehäuse: UMT6
  • Hersteller: ROHM Semiconductor
  • Herst.-Abk.: ROH
  • Kategorie: Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung
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Transistor bipolar

Technische Daten

Typ
UMB11NTN
Gehäuse
UMT6
Hersteller
ROHM Semiconductor
Herst.-Abk.
ROH
Kategorie
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung
Kanäle
2
Ausführung
PNP - vorgespannt
IC
-100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-50 V
VCE Sättigung (max.)
-300 mV
Kollektor Reststrom I(CES)
-500 nA
Ptot
150 mW
DC Stromverstärkung (hFE)
30
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
-5 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
-5 V
Transitfrequenz f(T)
250 MHz
Montageart
Oberflächenmontage
RoHS-konform
Ja

Dokumente & Downloads

Beschreibung

Doppel Digital Transistor.
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