JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

TRANS.HEXFET P.-MOSFET IRF7831 SO-8 INF

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 164357 - 62
Teile-Nr.: IRF7831 |  EAN: 2050000053023
Abbildung ähnlich
2,05 €
Sie sparen 0,20 €
1,85 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

Technische Daten

Kategorie
MOSFET
Montageart
Oberflächenmontage
Kanäle
1
C(ISS)
6240 pF
Q(G)
60 nC
C(ISS) Referenz-Spannung
15 V
Transistor-Merkmal
Standard
Herst.-Abk.
INF
R(DS)(on)
3.6 mΩ
U(GS)(th) max.
2.35 V
Gehäuse
SOIC‑8
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
U
30 V
U(DSS)
30 V
R(DS)(on) Referenz-Strom
20 A
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
I(d)
21 A
Serie
HEXFET®
Ptot
2.5 W
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
Target 3001!
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Ausführung
N‑Kanal

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details