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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung Infineon Technologies BCR22PNH6327 SOT-363 1 NPN - vorgespannt, PNP - vorgespannt

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 153278 - 62
Teile-Nr.: BCR22PNH6327 |  EAN: 2050000022098
Abbildung ähnlich
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Doppel-Digitaltransistor-Array

Technische Daten

Typ
BCR22PNH6327
Gehäuse
SOT‑363
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Kategorie
Transistor (BJT) ‑ Arrays, Vorspannung
Kanäle
1
Ausführung
NPN ‑ vorgespannt
PNP ‑ vorgespannt
IC
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
50 V
VCE Sättigung (max.)
300 mV
Kollektor Reststrom I(CES)
100 nA
Ptot
250 mW
DC Stromverstärkung (hFE)
50
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
5 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
Transitfrequenz f(T)
130 MHz
Montageart
Oberflächenmontage
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Beschreibung

Doppel-Digitaltransistor-Array.
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