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Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor EMD2T2R EMT6 1 NPN - vorgespannt, PNP - vorgespannt

ROHM Semiconductor
Bestell-Nr.: 140547 - 62
Teile-Nr.: EMD2T2R |  EAN: 2050001282002
  • Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor EMD2T2R EMT6 1 NPN - vorgespannt, PNP - vorgespannt
  • Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor EMD2T2R EMT6 1 NPN - vorgespannt, PNP - vorgespannt
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inkl. MwSt., zzgl. Versand
Online verfügbar Lieferung: 28.09 bis 29.09.2017
  • Typ: EMD2T2R
  • Gehäuse: EMT6
  • Hersteller: ROHM Semiconductor
  • Herst.-Abk.: ROH
  • Kategorie: Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung

Transistor bipolar

Technische Daten

Typ
EMD2T2R
Gehäuse
EMT6
Hersteller
ROHM Semiconductor
Herst.-Abk.
ROH
Kategorie
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung
Kanäle
1
Ausführung
NPN - vorgespannt
PNP - vorgespannt
IC
-100 mA
+100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-50 V
+50 V
VCE Sättigung (max.)
-300 mV
+300 mV
Kollektor Reststrom I(CES)
-500 nA
+500 nA
Ptot
150 mW
DC Stromverstärkung (hFE)
56
56
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
-5 mA
+5 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
-5 V
+5 V
Transitfrequenz f(T)
250 MHz
Montageart
Oberflächenmontage

Dokumente & Downloads

Beschreibung

Doppel Transistor.
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