JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}
{{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Checkout' " }} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Cart' " }} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Direct Order' " }}
Direktbestellung:
Es konnte kein Artikel gefunden werden.
Der gewünschte Artikel ist leider nicht verfügbar.

Direktbestellung / Artikelliste (BOM) hochladen

Geben Sie einfach die Bestellnummer in das obige Feld ein und die Artikel werden direkt in Ihren Einkaufswagen gelegt.

Sie möchten mehrere Artikel bestellen?
Mit unserem Artikellisten-Upload können Sie einfach Ihre eigene Artikelliste hochladen und Ihre Artikel gesammelt in den Einkaufswagen legen.
{{/xif}} {{/xif}} {{/xif}}

Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor EMD3T2R EMT6 1 NPN - vorgespannt, PNP - vorgespannt

ROHM Semiconductor
Bestell-Nr.: 140548 - 62
Teile-Nr.: EMD3T2R |  EAN: 2050001282019
  • Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor EMD3T2R EMT6 1 NPN - vorgespannt, PNP - vorgespannt
  • Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor EMD3T2R EMT6 1 NPN - vorgespannt, PNP - vorgespannt
0,16 €
(Sie sparen 0,01 €)
0,15 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand
Menge in Stück Preis Ersparnis
Gesamt in €
1 0,15 € --
10 0,11 € 27% = 0,40 €
100 0,06 € 60% = 9,00 €
Online verfügbar Lieferung: 23.05 bis 24.05.2018
  • Typ: EMD3T2R
  • Gehäuse: EMT6
  • Hersteller: ROHM Semiconductor
  • Herst.-Abk.: ROH
  • Kategorie: Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung

Transistor bipolar

Technische Daten

Typ
EMD3T2R
Gehäuse
EMT6
Hersteller
ROHM Semiconductor
Herst.-Abk.
ROH
Kategorie
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung
Kanäle
1
Ausführung
NPN - vorgespannt
PNP - vorgespannt
IC
-100 mA
+100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-50 V
+50 V
VCE Sättigung (max.)
-300 mV
+300 mV
Kollektor Reststrom I(CES)
-500 nA
+500 nA
Ptot
150 mW
DC Stromverstärkung (hFE)
30
30
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
-5 mA
+5 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
-5 V
+5 V
Transitfrequenz f(T)
250 MHz
Montageart
Oberflächenmontage
RoHS-konform
Ja

Dokumente & Downloads

Beschreibung

Doppel Digital Transistor.
Ähnliche Produkte
Nach oben