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Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor EMD9T2R EMT6 1 NPN - vorgespannt, PNP - vorgespannt

ROHM Semiconductor
Bestell-Nr.: 140550 - 62
Teile-Nr.: EMD9T2R |  EAN: 2050001282033
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor EMD9T2R EMT6 1 NPN - vorgespannt, PNP - vorgespannt
0,06 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

Transistor bipolar

Technische Daten

Typ
EMD9T2R
Gehäuse
EMT6
Hersteller
ROHM Semiconductor
Herst.-Abk.
ROH
Kategorie
Transistor (BJT) ‑ Arrays, Vorspannung
Kanäle
1
Ausführung
NPN ‑ vorgespannt
PNP ‑ vorgespannt
IC
‑100 mA
+100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
‑50 V
+50 V
VCE Sättigung (max.)
‑300 mV
+300 mV
Kollektor Reststrom I(CES)
‑500 nA
+500 nA
Ptot
150 mW
DC Stromverstärkung (hFE)
68
68
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
‑5 mA
+5 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
‑5 V
+5 V
Transitfrequenz f(T)
250 MHz
Montageart
Oberflächenmontage

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Beschreibung

Doppel Transistor.
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