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Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor EMH3T2R EMT6 2 NPN - vorgespannt

ROHM Semiconductor
Bestell-Nr.: 140551 - 62
Teile-Nr.: EMH3T2R |  EAN: 2050001282040
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor EMH3T2R EMT6 2 NPN - vorgespannt
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor EMH3T2R EMT6 2 NPN - vorgespannt
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Transistor bipolar

Technische Daten

Typ
EMH3T2R
Gehäuse
EMT6
Hersteller
ROHM Semiconductor
Herst.-Abk.
ROH
Kategorie
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung
Kanäle
2
Ausführung
NPN - vorgespannt
IC
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
50 V
VCE Sättigung (max.)
300 mV
Ptot
150 mW
DC Stromverstärkung (hFE)
100
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
1 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
Transitfrequenz f(T)
250 MHz
Montageart
Oberflächenmontage

Dokumente & Downloads

Beschreibung

Doppel Transistor.
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