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Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor IMH11AT110 SMT6 2 NPN - vorgespannt

ROHM Semiconductor
Bestell-Nr.: 140571 - 62
Teile-Nr.: IMH11AT110 |  EAN: 2050001282200
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor IMH11AT110 SMT6 2 NPN - vorgespannt
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor IMH11AT110 SMT6 2 NPN - vorgespannt
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Online verfügbar Lieferung: 28.06 bis 29.06.2017

Transistor bipolar

Technische Daten

Typ
IMH11AT110
Gehäuse
SMT6
Hersteller
ROHM Semiconductor
Herst.-Abk.
ROH
Kategorie
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung
Kanäle
2
Ausführung
NPN - vorgespannt
IC
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
50 V
VCE Sättigung (max.)
300 mV
Kollektor Reststrom I(CES)
500 nA
Ptot
300 mW
DC Stromverstärkung (hFE)
30
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
5 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
Transitfrequenz f(T)
250 MHz
Montageart
Oberflächenmontage

Dokumente & Downloads

Beschreibung

Doppel Transitor.
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