JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor IMH11AT110 SMT6 2 NPN - vorgespannt

ROHM Semiconductor
Bestell-Nr.: 140571 - 62
Teile-Nr.: IMH11AT110 |  EAN: 2050001282200
  • Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor IMH11AT110 SMT6 2 NPN - vorgespannt
  • Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor IMH11AT110 SMT6 2 NPN - vorgespannt
0,09 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand
Online verfügbar Lieferung: 22.09 bis 23.09.2017 oder garantiert am nächsten Werktag bei Auswahl der 24h-Express-Lieferung (zzgl. 8,95 Euro) innerhalb 1 Stunde 37 Minuten
  • Typ: IMH11AT110
  • Gehäuse: SMT6
  • Hersteller: ROHM Semiconductor
  • Herst.-Abk.: ROH
  • Kategorie: Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung

Transistor bipolar

Technische Daten

Typ
IMH11AT110
Gehäuse
SMT6
Hersteller
ROHM Semiconductor
Herst.-Abk.
ROH
Kategorie
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung
Kanäle
2
Ausführung
NPN - vorgespannt
IC
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
50 V
VCE Sättigung (max.)
300 mV
Kollektor Reststrom I(CES)
500 nA
Ptot
300 mW
DC Stromverstärkung (hFE)
30
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
5 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
Transitfrequenz f(T)
250 MHz
Montageart
Oberflächenmontage

Dokumente & Downloads

Beschreibung

Doppel Transitor.
Ähnliche Produkte
Nach oben