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Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor UMD6NTR UMT6 1 NPN - vorgespannt, PNP - vorgespannt

ROHM Semiconductor
Bestell-Nr.: 140591 - 62
Teile-Nr.: UMD6NTR |  EAN: 2050001282392
  • Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor UMD6NTR UMT6 1 NPN - vorgespannt, PNP - vorgespannt
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  • Typ: UMD6NTR
  • Gehäuse: UMT6
  • Hersteller: ROHM Semiconductor
  • Herst.-Abk.: ROH
  • Kategorie: Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung

Transistor bipolar

Technische Daten

Typ
UMD6NTR
Gehäuse
UMT6
Hersteller
ROHM Semiconductor
Herst.-Abk.
ROH
Kategorie
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung
Kanäle
1
Ausführung
NPN - vorgespannt
PNP - vorgespannt
IC
-100 mA
+100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-50 V
+50 V
VCE Sättigung (max.)
-300 mV
+300 mV
Kollektor Reststrom I(CES)
-500 nA
+500 nA
Ptot
150 mW
DC Stromverstärkung (hFE)
100
100
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
-1 mA
+1 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
-5 V
+5 V
Transitfrequenz f(T)
250 MHz
Montageart
Oberflächenmontage

Dokumente & Downloads

Beschreibung

Doppel Digital Transistor.
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