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Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor UMH3NTN UMT6 2 NPN - vorgespannt

ROHM Semiconductor
Bestell-Nr.: 140593 - 62
Teile-Nr.: UMH3NTN |  EAN: 2050001282415
  • Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor UMH3NTN UMT6 2 NPN - vorgespannt
  • Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor UMH3NTN UMT6 2 NPN - vorgespannt
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inkl. MwSt., zzgl. Versand
Online verfügbar Lieferung: 24.05 bis 25.05.2018
  • Typ: UMH3NTN
  • Gehäuse: UMT6
  • Hersteller: ROHM Semiconductor
  • Herst.-Abk.: ROH
  • Kategorie: Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung

Transistor bipolar

Technische Daten

Typ
UMH3NTN
Gehäuse
UMT6
Hersteller
ROHM Semiconductor
Herst.-Abk.
ROH
Kategorie
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung
Kanäle
2
Ausführung
NPN - vorgespannt
IC
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
50 V
VCE Sättigung (max.)
300 mV
Ptot
150 mW
DC Stromverstärkung (hFE)
100
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
1 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
Transitfrequenz f(T)
250 MHz
Montageart
Oberflächenmontage
RoHS-konform
Ja

Dokumente & Downloads

Beschreibung

Doppel Digital Transistor.
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