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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC337/25TA TO-92 Anzahl Kanäle 1 NPN
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
800 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
45 V
Datenblatt (PDF)
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Technische Daten
- Typ
BC337/25TA
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-92
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
800 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
45 V
- VCE Sättigung (max.)
700 mV
- Kollektor Reststrom I(CES)
100 nA
- Leistung (max) P(TOT)
625 mW
- DC Stromverstärkung (hFE)
160
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
100 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
1 V
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
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Datenblatt
Datenblatt 154598 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC337/25TA TO-92 Anzahl Kanäle 1 NPN