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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}
{{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Checkout' " }} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Cart' " }} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Direct Order' " }}
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{{/xif}} {{/xif}} {{/xif}}

Transistor (BJT) - diskret Infineon Technologies BC846BW SOT-323-3 1 NPN

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 153144 - 62
Teile-Nr.: BC846BW |  EAN: 2050000021091
  • Abbildung ähnlich
  • Transistor (BJT) - diskret Infineon Technologies BC846BW SOT-323-3 1 NPN
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Ausverkauft
  • Ausführung: NPN
  • DC Stromverstärkung (hFE): 200
  • DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V
  • DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA
  • Gehäuse: SOT-323-3

Technische Daten

Ausführung
NPN
DC Stromverstärkung (hFE)
200
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
2 mA
Gehäuse
SOT-323-3
Herst.-Abk.
INF
IC
100 mA
Kanäle
1
Kategorie
Transistor (BJT) - diskret
Kollektor Reststrom I(CES)
15 nA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
65 V
Montageart
Oberflächenmontage
Ptot
250 mW
Transitfrequenz f(T)
250 MHz
VCE Sättigung (max.)
600 mV

Dokumente & Downloads

Beschreibung

NPN-Transistor (8 mm-Gurt)
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