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Transistor (BJT) - diskret NXP Semiconductors PBSS2515M,315 DFN1006-3 1 NPN

NXP Semiconductors
Bestell-Nr.: 1113304 - 62
Teile-Nr.: PBSS2515M,315 |  EAN: 2050003469722
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  • Typ: PBSS2515M,315
  • Gehäuse: DFN1006-3
  • Hersteller: NXP Semiconductors
  • Herst.-Abk.: NXP
  • Kategorie: Transistor (BJT) - diskret

Transistor

Technische Daten

Typ
PBSS2515M,315
Gehäuse
DFN1006-3
Hersteller
NXP Semiconductors
Herst.-Abk.
NXP
Kategorie
Transistor (BJT) - diskret
Kanäle
1
Ausführung
NPN
IC
500 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
15 V
VCE Sättigung (max.)
250 mV
Kollektor Reststrom I(CES)
100 nA
Ptot
430 mW
DC Stromverstärkung (hFE)
150
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
100 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
2 V
Transitfrequenz f(T)
420 MHz
Montageart
Oberflächenmontage

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