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Transistor (BJT) - diskret ON Semiconductor 2N5886G TO-3 1 NPN

ON Semiconductor
Rated 5 out of 5 by 1 reviewer.
  • 2016-12-01 T06:49:51.414-06:00
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  • loc_en_US, sid_151090, prod, sort_default
Bestell-Nr.: 151090 - 62
Teile-Nr.: 2N5886G |  EAN: 2050000012822
Abbildung ähnlich
3,43 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

Bipolar-Standard-Leistungstransistor

Technische Daten

Typ
2N5886G
Gehäuse
TO‑3
Hersteller
ON Semiconductor
Herst.-Abk.
OnS
Kategorie
Transistor (BJT) ‑ diskret
Kanäle
1
Ausführung
NPN
IC
25 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
80 V
VCE Sättigung (max.)
4 V
Kollektor Reststrom I(CES)
2 mA
Ptot
200 W
DC Stromverstärkung (hFE)
20
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
10 A
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
4 V
Transitfrequenz f(T)
4 MHz
Montageart
Durchführungsloch
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Hinweis
Hinweis:Hersteller SIE=INF,HAR=FSC,MOT=ONS.
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Rated 5 out of 5 by Maschinenservice Sailer Alles bestens gelaufen. Schneller als versprochen geliefert, Abwicklung easy..... 31. Mai 2011
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